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碳化硅SiC?雙色紅外高溫計用于晶體生長多晶硅過程輻射溫度測量的紅外測溫儀

作者:admina來源:時間:2022-03-29 15:59:44瀏覽量:1161人閱讀

  碳化硅SiC雙色紅外高溫計用于晶體生長多晶硅過程輻射溫度測量的紅外測溫儀
CellaCrystal系列紅外測溫儀應(yīng)用于晶體生長過程中的光學(xué)溫度測量。

紅外測溫儀的高分辨率和高穩(wěn)定性保證晶體生長過程中對溫度的精準(zhǔn)控制。

晶體生長過程溫度測量應(yīng)用示例
單晶硅生長過程溫度監(jiān)控
多晶硅生長過程溫度監(jiān)控
碳化硅(SiC)生長過程溫度監(jiān)控
CellaCrystal 紅外測溫儀特點
高精度的寬測量范圍:750-3000℃
極高的重復(fù)性:2K
同時評估雙色和單色通道溫度變化
功耗極低(<175 mA),使用壽命長
可通過控制按鍵調(diào)節(jié)參數(shù)
檢測鏡頭污染功能
可調(diào)焦鏡頭 :標(biāo)準(zhǔn)鏡頭;近焦鏡頭;長焦鏡頭
三種瞄準(zhǔn)方式:目鏡,攝像頭或激光瞄準(zhǔn)
多種信號輸出 :模擬電流;開關(guān)信號;RS485 信號
專用軟件可并行控制最多30 臺測溫儀

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