鍋爐、焚燒爐爐膛紅外測溫系統(tǒng)
多晶硅爐、單晶硅爐焚燒爐爐膛紅外測溫系統(tǒng)
劃時代的鍋爐、垃圾焚燒爐測溫節(jié)能系統(tǒng)
采用在線高溫雙色紅外測溫儀：
 1、DSR10NF火焰紅外測溫儀
2、DSR54NF火焰紅外測溫儀
3、DPE10C火焰紅外測溫儀
 一、系統(tǒng)主要圖形一覽：
1、火焰溫度分布和煙灰溫度分布顯示
2、系統(tǒng)調(diào)節(jié)前和調(diào)節(jié)后溫度分布對比
二、系統(tǒng)優(yōu)點(diǎn)
? Optimization for coal-fired boilers 燃煤鍋爐過程優(yōu)化
 ? Prevent local hot spots 防止局部熱點(diǎn)
 ? Prevent local corrosion 防止局部侵蝕
 ? Prevent local slagging 防止局部結(jié)渣
 ? Increased availability 增強(qiáng)實(shí)用性
 ? Increased efficiency 提高燃燒效率
 ? Decreased NOx output 減少NOx排放
 ? Reduced slag  slag regions 減少煤渣及其區(qū)域
 ? Reshapes tangential fireball into centered  round
  重塑外圍火球進(jìn)入中心區(qū)域并使火球變圓
 ? Optimized furnace fuel distribution 優(yōu)化窯爐燃?xì)馀浔?br />  ? Better combustion performance 獲得更佳燃燒性能
 ? Reduced maintenance costs 減少維護(hù)費(fèi)用
黑體爐CS400 , CS400-M1 , 50~400°C , 50~530°C
黑體爐CS400 , CS400-M1 , 50~400°C , 50~530°C

晶體生長過程單晶硅爐的高溫紅外測溫儀應(yīng)用
詳細(xì)介紹： 
晶體生長過程多晶硅爐的雙色紅外測溫儀應(yīng)用
 單晶硅爐常使用型號
 1、二線制紅外測溫儀DG42N(350~1800°C)
2、二線制紅外測溫儀DS42N(600~2500°C)
3、二線制紅外測溫儀DG40N(350~1800°C)
4、二線制紅外測溫儀DS40N(600~2500°C)
5、四線制紅外測溫儀DG44N(350~1800°C)
6、四線制紅外測溫儀DS44N(600~2500°C)
 多晶硅爐常使用RF-4A14雙色紅外測溫儀
1、低價格雙色紅外測溫儀DSR44N(700~1800°C)
2、中價格雙色紅外測溫儀DSR54N(700~1800°C)
3、中價格雙色紅外測溫儀DSR56N(700~1800°C)
4、高精度雙色紅外測溫儀DSR10N(700~1800°C)
 測量空間有限時，推薦使用光纖紅外測溫儀
1、二線制紅外測溫儀DSF40N(600~1800°C)
2、二線制紅外測溫儀DGF40N(350~1800°C)
3、四線制紅外測溫儀DSF44N(600~1800°C)
4、四線制紅外測溫儀DGF44N(350~1800°C)
 簡述
太陽能行業(yè)的晶圓生產(chǎn)需要用到單晶硅或多晶硅，是在所謂的晶體生長爐，即單晶硅爐或多晶硅爐拉晶生長的。
 這種從爐內(nèi)生長的單晶或多晶硅，是要從結(jié)晶爐(即單晶硅爐或多晶硅爐)熔液慢慢冷卻生長出來的。測量這種過程的結(jié)晶熔液的溫度很重要，同樣控制這個結(jié)晶過程的加熱元件的溫度也很重要。這兩種溫度必須要協(xié)調(diào)好，才能確保優(yōu)的晶體生長過程。
 
太陽能單晶爐可使用的DIAS紅外測溫儀有10、40、44、54、56這些系列，都可以用來測量晶體生長的熔化溫度，性價比較高的40、42、44系列型號有DS42N、DG42N或 DS40N、DG40N、DS44N、DG44N，均為短波紅外測溫儀，測溫范圍800 ~ 1800°C 或 800~2500 °C。
 多晶硅爐也可使用雙色紅外測溫儀DSR44N、DSR54N、DSR56N、DSR10N。其中44、54、56、10系列可以通過總線連接到現(xiàn)有控制系統(tǒng)。
 在測量空間有限時，推薦使用光纖電纜和小光纖探頭的光纖紅外測溫儀；低價格型號有DSF40N、DGF40N、DSF44N、DGF44N ，小的光纖探頭的光圈為12mm，測溫范圍可以選600~1800°C。另外，可以選擇90°鏡像附件或彎曲的光纖電纜。測量光斑僅僅幾個毫米。
 不管是哪一種測量任務(wù)，都可以選擇好合適的紅外測溫儀參數(shù)，獲得較優(yōu)的效果，觀測和控制獲得極佳的晶體生長。
張掖黑體爐張掖黑體爐
太陽能行業(yè)晶體生長用DIAS紅外測溫儀

太陽能行業(yè)晶體生長爐專用紅外測溫儀

太陽能行業(yè)晶體生長爐在線測溫用PLUSFO紅外測溫儀

產(chǎn)品詳細(xì)描述

企業(yè)芯片生產(chǎn)晶圓，例如要生產(chǎn)太陽能晶圓產(chǎn)品，晶體需要從所謂的晶體生長爐(單晶爐、多晶爐)內(nèi)的熔液拉出。

從熔液形成的晶體生長由晶體化的熔液慢慢冷卻形成的。因此，測量熔液的溫度很重要，同樣，測量加熱元件的溫度以準(zhǔn)確控制過程也很重要。這二個溫度需要協(xié)調(diào)好，以確保晶體生長的優(yōu)化。

紅外測溫儀在太陽能行業(yè)的應(yīng)用

在晶體生長公司生產(chǎn)的晶體是太陽能行業(yè)晶圓需要的物件。要保證最優(yōu)的晶體生長過程，過程中的溫度必須要保證正確無誤。精工儀器公司生產(chǎn)的PLUSFO RF-4A25系列紅外雙色測溫儀可以確保實(shí)現(xiàn)晶體生長過程中的溫度的準(zhǔn)確測量。

紅外測溫10系列、40系列、42系列、44系列適合這些晶體生長的測溫。主要可用的型號有DS40N、DS44N、DG42N、DS42N，測溫范圍為350~2500°C，均為短波紅外測溫儀。根據(jù)晶體生長系統(tǒng)的型號，也可以使用DSR10N、DSR44N雙色紅外測溫儀。44系列、10系列還可以兼容總線系統(tǒng)，易于集成到現(xiàn)有控制系統(tǒng)中去。

Different steps of the crystal growing. 不同的晶體生長步驟

Different steps of the crystal growth.測量晶體生長過程中的熔化溫度、加熱元件的溫度，可采用紅外測溫儀

在空間比較狹小的地方，推薦使用光纖紅外測溫儀。比如可以使用DSF40N及DSF44N系列，測溫范圍600 ~ 1800 °C ，最小探頭光圈僅僅12 mm。此外，還可以選擇直角鏡或彎曲的光纖電纜。測量光斑僅僅幾個毫米直徑。從而，對這些溫度測量任務(wù)，選擇最優(yōu)的紅外測溫儀光學(xué)系數(shù)，可以觀測和控制這些晶體生長過程。

紅外測溫儀紅外測溫儀在線式紅外測溫儀

鑄液、鐵水、鋼水紅外測溫系統(tǒng)

紅外測溫儀在工業(yè)鍛造中的應(yīng)用

紅外測溫儀機(jī)械安裝附件的安裝組合

低溫雙色紅外測溫儀 , 300~2000°C

高溫雙色紅外測溫儀 , 300~3750°C

成熟的紅外熱成像儀測溫技術(shù)應(yīng)該滿足的條件

雙色紅外線測溫儀的原理及性能！

紅外測溫儀用途是什么？有哪些優(yōu)點(diǎn)呢？

紅外線溫度計測量精度的影響嗎？

紅外線測溫儀在維修中的應(yīng)用！

紅外熱成像儀可以精準(zhǔn)的測量出溫度

紅外熱成像技術(shù)在森林防火中的應(yīng)用

紅外測溫儀測量目標(biāo)尺寸的指導(dǎo)

高溫紅外線測溫儀探頭 紅外溫度傳感器 精工儀器

非接觸窯爐燃燒室高溫激光瞄準(zhǔn)紅外雙色測溫儀

? 測溫范圍500~3300°C

? 線性溫度輸出 0/4 ~ 20mA

? 內(nèi)置RS485通信接口

? 內(nèi)置激光瞄準(zhǔn)或視頻瞄準(zhǔn)

? 不銹鋼外殼堅固耐用

? 短響應(yīng)時間5 ms

? 小測量光斑3.5mm

技術(shù)數(shù)據(jù)

視頻瞄準(zhǔn)附件技術(shù)參數(shù)