晶體生長(zhǎng)過程單晶硅爐的高溫紅外測(cè)溫儀應(yīng)用
詳細(xì)介紹:
晶體生長(zhǎng)過程多晶硅爐的雙色紅外測(cè)溫儀應(yīng)用
單晶硅爐常使用型號(hào)
1、二線制紅外測(cè)溫儀DG42N(350~1800°C)
2、二線制紅外測(cè)溫儀DS42N(600~2500°C)
3、二線制紅外測(cè)溫儀DG40N(350~1800°C)
4、二線制紅外測(cè)溫儀DS40N(600~2500°C)
5、四線制紅外測(cè)溫儀DG44N(350~1800°C)
6、四線制紅外測(cè)溫儀DS44N(600~2500°C)
多晶硅爐常使用RF-4A14雙色紅外測(cè)溫儀
1、低價(jià)格雙色紅外測(cè)溫儀DSR44N(700~1800°C)
2、中價(jià)格雙色紅外測(cè)溫儀DSR54N(700~1800°C)
3、中價(jià)格雙色紅外測(cè)溫儀DSR56N(700~1800°C)
4、高精度雙色紅外測(cè)溫儀DSR10N(700~1800°C)
測(cè)量空間有限時(shí),推薦使用光纖紅外測(cè)溫儀
1、二線制紅外測(cè)溫儀DSF40N(600~1800°C)
2、二線制紅外測(cè)溫儀DGF40N(350~1800°C)
3、四線制紅外測(cè)溫儀DSF44N(600~1800°C)
4、四線制紅外測(cè)溫儀DGF44N(350~1800°C)
簡(jiǎn)述
太陽(yáng)能行業(yè)的晶圓生產(chǎn)需要用到單晶硅或多晶硅,是在所謂的晶體生長(zhǎng)爐,即單晶硅爐或多晶硅爐拉晶生長(zhǎng)的。
這種從爐內(nèi)生長(zhǎng)的單晶或多晶硅,是要從結(jié)晶爐(即單晶硅爐或多晶硅爐)熔液慢慢冷卻生長(zhǎng)出來的。測(cè)量這種過程的結(jié)晶熔液的溫度很重要,同樣控制這個(gè)結(jié)晶過程的加熱元件的溫度也很重要。這兩種溫度必須要協(xié)調(diào)好,才能確保優(yōu)的晶體生長(zhǎng)過程。
太陽(yáng)能單晶爐可使用的DIAS紅外測(cè)溫儀有10、40、44、54、56這些系列,都可以用來測(cè)量晶體生長(zhǎng)的熔化溫度,性價(jià)比較高的40、42、44系列型號(hào)有DS42N、DG42N或 DS40N、DG40N、DS44N、DG44N,均為短波紅外測(cè)溫儀,測(cè)溫范圍800 ~ 1800°C 或 800~2500 °C。
多晶硅爐也可使用雙色紅外測(cè)溫儀DSR44N、DSR54N、DSR56N、DSR10N。其中44、54、56、10系列可以通過總線連接到現(xiàn)有控制系統(tǒng)。
在測(cè)量空間有限時(shí),推薦使用光纖電纜和小光纖探頭的光纖紅外測(cè)溫儀;低價(jià)格型號(hào)有DSF40N、DGF40N、DSF44N、DGF44N ,小的光纖探頭的光圈為12mm,測(cè)溫范圍可以選600~1800°C。另外,可以選擇90°鏡像附件或彎曲的光纖電纜。測(cè)量光斑僅僅幾個(gè)毫米。
不管是哪一種測(cè)量任務(wù),都可以選擇好合適的紅外測(cè)溫儀參數(shù),獲得較優(yōu)的效果,觀測(cè)和控制獲得極佳的晶體生長(zhǎng)。
張掖黑體爐張掖黑體爐
太陽(yáng)能行業(yè)晶體生長(zhǎng)用DIAS紅外測(cè)溫儀
太陽(yáng)能行業(yè)晶體生長(zhǎng)爐專用紅外測(cè)溫儀
太陽(yáng)能行業(yè)晶體生長(zhǎng)爐在線測(cè)溫用PLUSFO紅外測(cè)溫儀
產(chǎn)品詳細(xì)描述
企業(yè)芯片生產(chǎn)晶圓,例如要生產(chǎn)太陽(yáng)能晶圓產(chǎn)品,晶體需要從所謂的晶體生長(zhǎng)爐(單晶爐、多晶爐)內(nèi)的熔液拉出。
從熔液形成的晶體生長(zhǎng)由晶體化的熔液慢慢冷卻形成的。因此,測(cè)量熔液的溫度很重要,同樣,測(cè)量加熱元件的溫度以準(zhǔn)確控制過程也很重要。這二個(gè)溫度需要協(xié)調(diào)好,以確保晶體生長(zhǎng)的優(yōu)化。
紅外測(cè)溫儀在太陽(yáng)能行業(yè)的應(yīng)用
在晶體生長(zhǎng)公司生產(chǎn)的晶體是太陽(yáng)能行業(yè)晶圓需要的物件。要保證最優(yōu)的晶體生長(zhǎng)過程,過程中的溫度必須要保證正確無誤。精工儀器公司生產(chǎn)的PLUSFO RF-4A25系列紅外雙色測(cè)溫儀可以確保實(shí)現(xiàn)晶體生長(zhǎng)過程中的溫度的準(zhǔn)確測(cè)量。
紅外測(cè)溫10系列、40系列、42系列、44系列適合這些晶體生長(zhǎng)的測(cè)溫。主要可用的型號(hào)有DS40N、DS44N、DG42N、DS42N,測(cè)溫范圍為350~2500°C,均為短波紅外測(cè)溫儀。根據(jù)晶體生長(zhǎng)系統(tǒng)的型號(hào),也可以使用DSR10N、DSR44N雙色紅外測(cè)溫儀。44系列、10系列還可以兼容總線系統(tǒng),易于集成到現(xiàn)有控制系統(tǒng)中去。
Different steps of the crystal growing. 不同的晶體生長(zhǎng)步驟
Different steps of the crystal growth.測(cè)量晶體生長(zhǎng)過程中的熔化溫度、加熱元件的溫度,可采用紅外測(cè)溫儀
在空間比較狹小的地方,推薦使用光纖紅外測(cè)溫儀。比如可以使用DSF40N及DSF44N系列,測(cè)溫范圍600 ~ 1800 °C ,最小探頭光圈僅僅12 mm。此外,還可以選擇直角鏡或彎曲的光纖電纜。測(cè)量光斑僅僅幾個(gè)毫米直徑。從而,對(duì)這些溫度測(cè)量任務(wù),選擇最優(yōu)的紅外測(cè)溫儀光學(xué)系數(shù),可以觀測(cè)和控制這些晶體生長(zhǎng)過程。
紅外測(cè)溫儀紅外測(cè)溫儀在線式紅外測(cè)溫儀
鑄液、鐵水、鋼水紅外測(cè)溫系統(tǒng)
紅外測(cè)溫儀在工業(yè)鍛造中的應(yīng)用
紅外測(cè)溫儀機(jī)械安裝附件的安裝組合
低溫雙色紅外測(cè)溫儀 , 300~2000°C
高溫雙色紅外測(cè)溫儀 , 300~3750°C
成熟的紅外熱成像儀測(cè)溫技術(shù)應(yīng)該滿足的條件
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非接觸窯爐燃燒室高溫激光瞄準(zhǔn)紅外雙色測(cè)溫儀
? 測(cè)溫范圍500~3300°C
? 線性溫度輸出 0/4 ~ 20mA
? 內(nèi)置RS485通信接口
? 內(nèi)置激光瞄準(zhǔn)或視頻瞄準(zhǔn)
? 不銹鋼外殼堅(jiān)固耐用
? 短響應(yīng)時(shí)間5 ms
? 小測(cè)量光斑3.5mm
技術(shù)數(shù)據(jù)
測(cè)溫范圍 | 500~1200°C | 500~1200°C |
600~1400°C | 600~1400°C | |
700~1800°C | 700~1800°C | |
800~2500°C | 800~2500°C | |
900~3000°C 或1000~3300°C | 900~3000°C或1000~3300°C | |
子測(cè)溫范圍 | 在測(cè)溫范圍內(nèi)可調(diào), 小跨度50°C | |
光譜范圍 | 0.7 μm ~ 1.1 μm | |
光學(xué)系數(shù) | 固定焦距(650, 2000, 4000)1,小可測(cè)光斑直徑為3.5mm | |
距離系數(shù) | 50:1 (500~1200°C), 100:1 (600~1400°C) ,200:1(其它溫度范圍) | |
測(cè)量誤差2 | 0.5 %測(cè)量值(°C) | |
重復(fù)精度 | 0.1%測(cè)量值(°C) | |
NETD2 | 0.1°C | |
響應(yīng)時(shí)間(t95) | 小5ms,可調(diào),可達(dá)100s | |
比色系數(shù)(坡度) | 0.800 ~ 1.200 | |
發(fā)射率 | 0.050~1.000, 可通過接口或測(cè)溫儀上的按鈕調(diào)整 | |
透過率 | 50 % ~ 100 % | |
存儲(chǔ)方式 | 小值和大值存儲(chǔ),通過通信接口可調(diào) | |
環(huán)溫補(bǔ)償 | 在測(cè)溫范圍內(nèi)可調(diào) | |
輸出信號(hào) |
0/4~20 mA, 通過軟件調(diào)整,線性溫度 大負(fù)荷: 700 Ω |
|
通信接口 | 電隔離RS485接口,半雙工,大115 kBd,數(shù)據(jù)通信協(xié)議 Modbus MTU | |
瞄準(zhǔn)方式 | 激光瞄準(zhǔn) | 視頻瞄準(zhǔn) |
切換輸出/切換閾值 | 1 光耦繼電器, RLoad 小48 Ω (電隔離)/在測(cè)溫范圍內(nèi)可調(diào) | |
軟件 | Windows®下PYROSOFT Spot,可選PYROSOFT Spot Pro | |
可調(diào)參數(shù) | 通過通信接口或設(shè)備可調(diào): 發(fā)射率、透過率、環(huán)溫補(bǔ)償、響應(yīng)時(shí)間、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)置、子測(cè)溫范圍、切換輸出的切換閾值 | |
供電電源 | 24 VDC ± 25% | |
功耗 | 大1.5 W (在切換輸出處無負(fù)荷) | |
運(yùn)行溫度 | 0~70°C | |
存儲(chǔ)溫度 | –20~70°C | |
重量 | 約 600 g | |
外殼和尺寸 | 不銹鋼圓形外殼,帶插頭,長(zhǎng)度 約105 mm, ? 50 mm | |
測(cè)試規(guī)則 | EN 55 011:1998, limit class A | |
防護(hù)等級(jí) | IP65 符合 DIN EN 60529 和 DIN 40050 | |
CE認(rèn)證 |
遵守EU規(guī)則(EN 50 011) |
供貨范圍 | 操作手冊(cè), 檢測(cè)單, 軟件PYROSOFT Spot, 無連接電纜(請(qǐng)單獨(dú)訂貨) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1 其它固定焦距可按要求定制,如220 mm, 200 : 1. 2 技術(shù)指標(biāo)經(jīng)過黑體爐標(biāo)定, T環(huán)溫 = 23°C, t95 = 1 s. 3 噪聲等溫差。
附件:
|
視頻瞄準(zhǔn)附件技術(shù)參數(shù)
視頻瞄準(zhǔn)技術(shù)數(shù)據(jù) | |
視頻信號(hào) | 復(fù)合視頻信號(hào) 約1Vss @ 75 Ω (電隔離, 視頻信號(hào)可以通過軟件解除) |
顏色規(guī)范 | PAL (B), 50 Hz (可選顏色規(guī)范 NTSC (M), 60 Hz) |
分辨率 | 1/3”微型視頻磁片 628 × 586 像素 (可選NTSC: 510 × 496 像素) |
曝光控制 | 自動(dòng) |
可視視場(chǎng) | 約為可調(diào)測(cè)量距離的8 % × 6 % (可選NTSC: 6.5 % × 5 %) |
日期/時(shí)間 | 實(shí)時(shí)時(shí)鐘,可存儲(chǔ)3天,通過軟件可調(diào) |
持久圖像顯示 | 測(cè)量光斑處的瞄準(zhǔn)標(biāo)志 , 實(shí)測(cè)溫度, 發(fā)射率 |
可選圖像顯示 | 通過軟件: 序列號(hào)、設(shè)備名稱或用戶定義的正文(16位字符)、日期、 |
時(shí)間、溫度單位°C/°F, 12/24小時(shí)顯示 |