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石墨坩堝晶體硅液面雙色高溫計 多晶硅鑄錠爐紅外測溫儀 石墨坩堝光纖式紅外線測溫儀

作者:admina來源:時間:2021-12-01 18:33:43瀏覽量:1321人閱讀

  

石墨坩堝晶體硅液面雙色高溫計 多晶硅鑄錠爐紅外測溫儀 石墨坩堝光纖式紅外線測溫儀

石墨坩堝晶體硅液面雙色高溫計 

多晶硅鑄錠爐紅外測溫儀 生產(chǎn)廠家

RF-4A14石墨坩堝光纖式紅外線測溫儀 
DCTQ1-7014多晶硅液面溫度紅外測溫儀 
DCTQ2-3514多晶硅液面溫度測量儀

多晶硅液面溫度紅外測溫儀 高溫計 在線紅外測溫儀


多晶硅是單質(zhì)硅的一種形態(tài),其純度要比單晶硅低,它可作拉制單晶硅的原料。多晶硅由多晶硅鑄錠爐生產(chǎn)出來。
多晶硅的生產(chǎn)是把高純多晶硅料裝入到鑄錠爐中,抽真空后,將硅料熔化成液態(tài),通過鑄錠爐的自動化的操作,使硅料形成一個豎直溫度梯度。液態(tài)硅自下向上緩慢地重新結(jié)晶,生成一塊大晶粒的多單晶體的鑄錠硅來。硅錠經(jīng)過退火、冷卻后出爐完成整個鑄錠過程。

目前國際上多晶硅生產(chǎn)主要的傳統(tǒng)工藝有:改良西門子法、硅烷法和流化床法。其中改良西門子工藝生產(chǎn)的多晶硅的產(chǎn)能約占世界總產(chǎn)能的80%。生產(chǎn)工藝以改良西門子法為例:


(1)裝料
將裝有涂層的陶瓷坩堝放置在熱交換臺(冷卻板)上,放入適量的硅原料,然后安裝加熱設(shè)備、隔熱設(shè)備和爐罩,將爐內(nèi)抽真空,使?fàn)t內(nèi)壓力降至(0.05-0.1)mbar并保持真空。通入氬氣作為保護(hù)氣,使?fàn)t內(nèi)壓力基本維持在(400~600)mbar左右。
(2)加熱
利用石墨加熱器給爐體加熱,首先使石墨部件(包括加熱器、坩堝板、熱交換臺等)、隔熱層、硅原料等表面吸附的濕氣蒸發(fā),然后緩慢加溫,使陶瓷坩堝的溫度達(dá)到1200℃~1300℃左右,該過程約需要4h~5h。
(3)化料
通入氬氣作為保護(hù)氣,使?fàn)t內(nèi)壓力基本維持在(400~600)mbar左右。逐漸增加加熱功率,使陶瓷坩堝內(nèi)的溫度達(dá)到1500℃左右,硅原料開始熔化。熔化過程中一直保持1500℃左右,直至化料結(jié)束。該過程約需要9~11h。
(4)晶體生長
硅原料熔化結(jié)束后,降低加熱功率,使陶瓷坩堝的溫度降至1420℃~1440℃硅熔點(diǎn)左右。陶瓷坩堝逐漸向下移動,或者隔熱裝置逐漸上升,使得坩堝慢慢脫離加熱區(qū),與周圍形成熱交換;同時,冷卻板通水,使熔體的溫度自底部開始降低,晶體硅首先在底部形成,并呈柱狀向上生長,生長過程中固液界面始終保持與水面平行,直至晶體生長完成,該過程約需要20h~22h。
(5)退火
晶體生長完成后,由于晶體底部和上部存在較大的溫度梯度,因此,晶錠中可能存在熱應(yīng)力,在硅片加工和電池制備過程中容易造成硅片碎裂。所以,晶體生長完成后,晶錠保持在熔點(diǎn)附近2h~4h,使晶錠溫度均勻,以減少熱應(yīng)力。
(6)冷卻
晶錠在爐內(nèi)退火后,關(guān)閉加熱功率,提升隔熱裝置或者完全下降晶錠,爐內(nèi)通入大流量氬氣。使晶體溫度逐漸降低至室溫附近;同時,爐內(nèi)氣壓逐漸上升,直至達(dá)到大氣壓,最后去除晶錠,該過程約需要10h。
對于重量為250~300kg的鑄造多晶硅而言,一般晶體生長的速度約為(0.1~0.2)mm/min,其晶體生長的時間約35~45h。
2、多晶硅紅外溫度測量


硅材料是比較難測的物體,硅輻射的溫度與發(fā)射率的對應(yīng)關(guān)系如上圖。硅的發(fā)射率在某個特定區(qū)域內(nèi)是不變的。需要紅外測溫儀采用特殊的窄帶濾色片來減小發(fā)射率變化的影響。

(1)多晶硅液面溫度測量
采用短波長雙色測溫儀來測量多晶硅液面的溫度。推薦產(chǎn)品:DCTQ1-7XXX(鏈接DCTQ系列雙色紅外測溫儀),溫度分辨率為0.1℃,溫度場內(nèi)的微小變化都能快速響應(yīng),并具有極高的溫度穩(wěn)定性。
采用比色測溫的方法,可以避免硅料直徑變化的影響。視窗的污染,也不會影響測溫的準(zhǔn)確性。并有臟鏡頭檢測功能,鏡頭太臟時會提前發(fā)出信號,保證系統(tǒng)可靠工作。
石墨坩堝光纖式紅外測溫儀產(chǎn)品特點(diǎn)如下:
測溫精度可達(dá)0.5%,重復(fù)精度為2℃,溫度分辨率達(dá)0.1℃(16bit)
響應(yīng)時間10ms~99.99s可調(diào)
采用可調(diào)焦鏡頭,測量距離0.35m至無窮遠(yuǎn)
對探測器采用PID恒溫控制,消除環(huán)境溫度對測量的影響
可視目鏡,清晰顯示被測目標(biāo)的位置及大小
兼具雙色和單色測溫功能
雙色模式下,有鏡頭臟檢測功能
采用工業(yè)級OLED屏為顯示界面,人機(jī)界面友好
軟硬件等抗干擾設(shè)計提高系統(tǒng)穩(wěn)定性,可抗2500VDC脈沖群干擾
使用場合有防爆要求時,在測量液面的區(qū)域,推薦使用光纖式雙色紅外測溫儀。推薦產(chǎn)品:SN-7018(鏈接SN系列光纖式雙色測溫儀)。采用可調(diào)焦鏡頭和紅色激光光源瞄準(zhǔn),溫度分辨率為0.1℃,具有極高的溫度穩(wěn)定性。采用比色測溫的方法,可以避免硅料直徑變化的影響。視窗的污染,也不會影響測溫的準(zhǔn)確性。并有臟鏡頭檢測功能,鏡頭太臟時會提前發(fā)出信號,保證系統(tǒng)可靠工作。
(2)石墨坩堝溫度的檢測
采用短波長單色測溫儀來測量石墨坩堝的溫度。推薦產(chǎn)品:DCTQ1-XX(鏈接DCTQ系列單色紅外測溫儀)或者經(jīng)濟(jì)款產(chǎn)品DCTQ(鏈接SN系列單色紅外測溫儀)。
兩款產(chǎn)品采用1:1綠色光源對準(zhǔn)目標(biāo),并采用可調(diào)焦鏡頭(不受安裝距離遠(yuǎn)近的限制),溫度分辨率為0.1℃,具有極高的溫度穩(wěn)定性。

在使用場合有防爆要求時,在石墨坩堝的區(qū)域推薦使用光纖式單色紅外測溫儀。推薦產(chǎn)品:DCTQ1-XX光纖式單色測溫儀)。采用可調(diào)焦鏡頭和紅色激光光源瞄準(zhǔn),溫度分辨率為0.1℃,具有極高的溫度穩(wěn)定性。


BFS8000熱風(fēng)爐爐內(nèi)紅外測溫系統(tǒng)


BFS9000真空高溫爐內(nèi)紅外測溫系統(tǒng)
熱風(fēng)爐紅外測溫儀是為熱風(fēng)爐或高爐加熱鼓風(fēng)設(shè)備,是現(xiàn)代高爐不可缺少的重要組成部分。現(xiàn)代高爐多采用蓄熱式熱風(fēng)爐,其工作原理是先燃燒煤氣,用產(chǎn)生的煙氣加熱蓄熱室的格子磚,再將鼓風(fēng)站送來的冷風(fēng)通過熾熱的格子磚進(jìn)行加熱.。將熱風(fēng)爐輪流交替地進(jìn)行燃燒和送風(fēng),使高爐連續(xù)獲得高溫?zé)犸L(fēng)。熱風(fēng)爐拱頂?shù)臏囟龋前踩?、?zhǔn)確操作熱風(fēng)爐所必需的重要數(shù)據(jù)。

1、傳統(tǒng)熱風(fēng)爐溫度的檢測是通過熱電偶來測量,采用裝配式鉑銠—鉑熱電偶或雙鉑銠熱電偶,通過測量拱頂保溫墻的溫度,間接地控制熱風(fēng)溫度。

2、熱風(fēng)爐耐火材料內(nèi)襯在高溫、高壓環(huán)境下,工作條件十分惡劣。熱電偶對使用環(huán)境的要求和本身結(jié)構(gòu)的限制,在溫度變化頻繁壓力波動大和振動的場合,造成了熱電偶測溫不準(zhǔn)確、反應(yīng)滯后,不能準(zhǔn)確反應(yīng)爐內(nèi)溫度的變化。

3、熱電偶長期工作在高溫區(qū)1200℃~1300℃,熱電偶接線盒所處環(huán)境溫度亦高達(dá)100~120℃,致使電偶的使用壽命很短,從幾周到幾個月不等。增加了使用成本和維護(hù)工作量。

4、為了克服上述缺點(diǎn),本公司設(shè)計生產(chǎn)的熱風(fēng)爐拱頂紅外測溫系統(tǒng)能很好地解決了以上問題,可確保紅外測溫系統(tǒng)在復(fù)雜的環(huán)境下可靠工作。

5、該產(chǎn)品除了用于熱風(fēng)爐測溫外,也可以用于加熱爐內(nèi)溫度的測量。

6、結(jié)構(gòu)件耐腐蝕,使用多年,外觀也不會有變化。

      精工儀器針對冶金行業(yè)熱風(fēng)爐應(yīng)用場合,開發(fā)出適用于此環(huán)境的雙色紅外測溫儀。設(shè)計配置了帶有密封隔離視窗,專用保護(hù)裝置。主裝置采用法蘭連接(可根據(jù)用戶要求定制),能很方便地連接到拱頂上。

紅外測溫儀通過測量格子磚的溫度來確定熱風(fēng)的溫度,紅外測溫儀輸出與溫度對應(yīng)的4-20mA電流信號,給計算機(jī)或記錄儀進(jìn)行處理。雙色紅外測溫儀能減少發(fā)射率不同、 測量現(xiàn)場的灰塵、水汽和霧氣、距離的變化和物體局部被遮擋等因素,對被測溫度的影響。能夠增加系統(tǒng)的可靠性和減少用戶的維護(hù)量。

線棒材、熱軋鋼坯、鍛造、熔鑄爐,水泥窯爐,真空感應(yīng)加熱爐,單晶硅爐、多晶硅爐、熱風(fēng)爐、燒結(jié)爐

測溫范圍

600℃1600℃

700℃1800℃

探測器

Si/Si(疊層硅)

工作波長

波長1:(0.71.08μm,波長 21.08μm

主要應(yīng)用

熱風(fēng)爐、加熱爐、溶化的玻璃、水泥窯、半導(dǎo)體

距離系數(shù)

601

1001

測量距離

0.35m至無窮遠(yuǎn)可調(diào)

測量精度

±0.5%tm℃tm為測溫范圍上限值)

分辨率

0.1℃

重復(fù)精度

±2℃

單色系數(shù)

0.1001.000,步距0.001可調(diào)。

雙色系數(shù)

0.8501.150,步距0.001可調(diào)。

響應(yīng)時間

10ms99.99s可調(diào)

信號處理

峰值、谷值、平均值,環(huán)境溫度過高過低報警,單色、雙色可切換,掉電保護(hù)等功能

輸出

多種模擬量輸出16bit 4mA20mA,0mA20mA0V5V,0V10V可選),
分辨率0.1℃,電流環(huán)輸出負(fù)載600Ω,電壓輸出允許電流10mA

模擬量12bit輸出4mA20mA,分辨率1℃,負(fù)載600Ω

報警輸出:上限、下限報警,采用光耦繼電器使用壽命無限制,
導(dǎo)通電阻≤25Ω,允許電壓AC60VDC60V,允許電流120mA,響應(yīng)時間2ms

PNP電平輸出

RS485輸出,可實(shí)現(xiàn)參數(shù)修改,數(shù)據(jù)記錄和查詢等功能

顯示方式

采用工業(yè)級自發(fā)光OLED顯示屏

供電電源

DC2030V,帶過壓、過流、短路保護(hù),功耗:5W24V@200mA
內(nèi)置EMI濾波器,可抗2500VDC脈沖群的干擾。

預(yù)熱時間

內(nèi)置恒溫加熱器,通電10min后測溫

瞄準(zhǔn)方式

目鏡瞄準(zhǔn)

接口

采用binder密封插頭和12芯高溫屏蔽電纜(長度2.5m

使用環(huán)境

不帶水冷:-30℃+55℃,吹掃壓力為0.5MPa,流量為20L/ min
帶水冷:-30℃+120℃ 冷卻水壓力為0.2MPa,流量為2L/min

防護(hù)等級

IP65

軋線棒材鋼坯雙色測溫儀 金屬注射成型燒結(jié)爐紅外測溫儀 真空氫氣爐紅外測溫儀 真空熱壓爐紅外測溫儀 核管退火爐紅外測溫儀

 晶體材料紅外測溫儀 晶體材料紅外線測溫儀  氮化硅氣壓爐紅外測溫儀 氮化硅氣壓爐紅外測溫儀  碳化鎢氣壓爐紅外測溫儀  CVD 化學(xué)氣相沉積爐 石墨純化紅外測溫儀 旋轉(zhuǎn)粉末燒結(jié)爐紅外測溫儀 真空感應(yīng)熔鑄爐紅外測溫儀 熱風(fēng)爐拱頂紅外雙色測溫裝置

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