CIT-1MD1SS紅外測(cè)溫儀 CIT-2MK2紅外測(cè)溫儀 M2 600/1800CV雙色高溫計(jì)
-3000℃超高溫黑體爐 腔式黑體爐黑體輻射源面源黑體爐浴式黑體輻射源熱電偶退火爐
3000°C超高溫黑體爐 M390黑體輻射源 M330中溫黑體爐 高溫黑體爐 紅外傳感器
DCT1-3514-F2 紅外測(cè)溫儀 SCT3-0010高溫計(jì)
DCT1-3514-F2 紅外測(cè)溫儀
SCT3-0010 紅外測(cè)溫儀
DCT1-3514雙色紅外測(cè)溫儀的工作原理
DCT1-7014雙波長(zhǎng)紅外測(cè)溫儀的工作原理
DcT1-3514紅外線測(cè)溫儀 350一1400℃
石墨坩堝晶體硅溫度專用紅外線測(cè)溫儀
多晶硅鑄錠爐紅外測(cè)溫儀 生產(chǎn)廠家
RF-4A14石墨坩堝光纖式紅外線測(cè)溫儀
DCTQ1-7014多晶硅液面溫度紅外測(cè)溫儀
DCTQ2-3514多晶硅液面溫度測(cè)量?jī)x
1、概述
多晶硅是單質(zhì)硅的一種形態(tài)，其純度要比單晶硅低，它可作拉制單晶硅的原料。多晶硅由多晶硅鑄錠爐生產(chǎn)出來(lái)。多晶硅的生產(chǎn)是把高純多晶硅料裝入到鑄錠爐中，抽真空后，將硅料熔化成液態(tài)，通過(guò)鑄錠爐的自動(dòng)化的操作，使硅料形成一個(gè)豎直溫度梯度。液態(tài)硅自下向上緩慢地重新結(jié)晶，生成一塊大晶粒的多單晶體的鑄錠硅來(lái)。硅錠經(jīng)過(guò)退火、冷卻后出爐完成整個(gè)鑄錠過(guò)程。
目前國(guó)際上多晶硅生產(chǎn)主要的傳統(tǒng)工藝有：改良西門子法、硅烷法和流化床法。其中改良西門子工藝生產(chǎn)的多晶硅的產(chǎn)能約占世界總產(chǎn)能的80％。生產(chǎn)工藝以改良西門子法為例：
將裝有涂層的陶瓷坩堝放置在熱交換臺(tái)（冷卻板）上，放入適量的硅原料，然后安裝加熱設(shè)備、隔熱設(shè)備和爐罩，將爐內(nèi)抽真空，使?fàn)t內(nèi)壓力降至（0.05-0.1）mbar并保持真空。通入氬氣作為保護(hù)氣，使?fàn)t內(nèi)壓力基本維持在（400～600）mbar左右。
（2）加熱
利用石墨加熱器給爐體加熱，首先使石墨部件（包括加熱器、坩堝板、熱交換臺(tái)等）、隔熱層、硅原料等表面吸附的濕氣蒸發(fā)，然后緩慢加溫，使陶瓷坩堝的溫度達(dá)到1200℃～1300℃左右，該過(guò)程約需要4h～5h。
（3）化料
通入氬氣作為保護(hù)氣，使?fàn)t內(nèi)壓力基本維持在（400～600）mbar左右。逐漸增加加熱功率，使陶瓷坩堝內(nèi)的溫度達(dá)到1500℃左右，硅原料開(kāi)始熔化。熔化過(guò)程中一直保持1500℃左右，直至化料結(jié)束。該過(guò)程約需要9～11h。
（4）晶體生長(zhǎng)
硅原料熔化結(jié)束后，降低加熱功率，使陶瓷坩堝的溫度降至1420℃～1440℃硅熔點(diǎn)左右。陶瓷坩堝逐漸向下移動(dòng)，或者隔熱裝置逐漸上升，使得坩堝慢慢脫離加熱區(qū)，與周圍形成熱交換；同時(shí)，冷卻板通水，使熔體的溫度自底部開(kāi)始降低，晶體硅首先在底部形成，并呈柱狀向上生長(zhǎng)，生長(zhǎng)過(guò)程中固液界面始終保持與水面平行，直至晶體生長(zhǎng)完成，該過(guò)程約需要20h～22h。
（5）退火
晶體生長(zhǎng)完成后，由于晶體底部和上部存在較大的溫度梯度，因此，晶錠中可能存在熱應(yīng)力，在硅片加工和電池制備過(guò)程中容易造成硅片碎裂。所以，晶體生長(zhǎng)完成后，晶錠保持在熔點(diǎn)附近2h～4h，使晶錠溫度均勻，以減少熱應(yīng)力。
（6）冷卻
晶錠在爐內(nèi)退火后，關(guān)閉加熱功率，提升隔熱裝置或者完全下降晶錠，爐內(nèi)通入大流量氬氣。使晶體溫度逐漸降低至室溫附近；同時(shí)，爐內(nèi)氣壓逐漸上升，直至達(dá)到大氣壓，最后去除晶錠，該過(guò)程約需要10h。
對(duì)于重量為250～300kg的鑄造多晶硅而言，一般晶體生長(zhǎng)的速度約為（0.1～0.2）mm/min,其晶體生長(zhǎng)的時(shí)間約35～45h。
2、多晶硅紅外溫度測(cè)量
硅材料是比較難測(cè)的物體，硅輻射的溫度與發(fā)射率的對(duì)應(yīng)關(guān)系如上圖。硅的發(fā)射率在某個(gè)特定區(qū)域內(nèi)是不變的。需要紅外測(cè)溫儀采用特殊的窄帶濾色片來(lái)減小發(fā)射率變化的影響。
（1）多晶硅液面溫度測(cè)量
采用短波長(zhǎng)雙色測(cè)溫儀來(lái)測(cè)量多晶硅液面的溫度。推薦產(chǎn)品：DCTQ1-7XXX（鏈接DCTQ系列雙色紅外測(cè)溫儀），溫度分辨率為0.1℃，溫度場(chǎng)內(nèi)的微小變化都能快速響應(yīng)，并具有極高的溫度穩(wěn)定性。
采用比色測(cè)溫的方法，可以避免硅料直徑變化的影響。視窗的污染，也不會(huì)影響測(cè)溫的準(zhǔn)確性。并有臟鏡頭檢測(cè)功能，鏡頭太臟時(shí)會(huì)提前發(fā)出信號(hào)，保證系統(tǒng)可靠工作。
石墨坩堝光纖式紅外測(cè)溫儀產(chǎn)品特點(diǎn)如下：
測(cè)溫精度可達(dá)0.5%,重復(fù)精度為2℃，溫度分辨率達(dá)0.1℃（16bit）
響應(yīng)時(shí)間10ms～99.99s可調(diào)
采用可調(diào)焦鏡頭，測(cè)量距離0.35m至無(wú)窮遠(yuǎn)
對(duì)探測(cè)器采用PID恒溫控制，消除環(huán)境溫度對(duì)測(cè)量的影響
可視目鏡，清晰顯示被測(cè)目標(biāo)的位置及大小
兼具雙色和單色測(cè)溫功能
雙色模式下，有鏡頭臟檢測(cè)功能
采用工業(yè)級(jí)OLED屏為顯示界面，人機(jī)界面友好
軟硬件等抗干擾設(shè)計(jì)提高系統(tǒng)穩(wěn)定性，可抗2500VDC脈沖群干擾
使用場(chǎng)合有防爆要求時(shí)，在測(cè)量液面的區(qū)域，推薦使用光纖式雙色紅外測(cè)溫儀。推薦產(chǎn)品：SN-7018（鏈接SN系列光纖式雙色測(cè)溫儀）。采用可調(diào)焦鏡頭和紅色激光光源瞄準(zhǔn)，溫度分辨率為0.1℃，具有極高的溫度穩(wěn)定性。采用比色測(cè)溫的方法，可以避免硅料直徑變化的影響。視窗的污染，也不會(huì)影響測(cè)溫的準(zhǔn)確性。并有臟鏡頭檢測(cè)功能，鏡頭太臟時(shí)會(huì)提前發(fā)出信號(hào)，保證系統(tǒng)可靠工作。
（2）石墨坩堝溫度的檢測(cè)
采用短波長(zhǎng)單色測(cè)溫儀來(lái)測(cè)量石墨坩堝的溫度。推薦產(chǎn)品：DCTQ1-XX（鏈接DCTQ系列單色紅外測(cè)溫儀）或者經(jīng)濟(jì)款產(chǎn)品DCTQ（鏈接SN系列單色紅外測(cè)溫儀）。
兩款產(chǎn)品采用1：1綠色光源對(duì)準(zhǔn)目標(biāo)，并采用可調(diào)焦鏡頭（不受安裝距離遠(yuǎn)近的限制），溫度分辨率為0.1℃，具有極高的溫度穩(wěn)定性。
在使用場(chǎng)合有防爆要求時(shí)，在石墨坩堝的區(qū)域推薦使用光纖式單色紅外測(cè)溫儀。推薦產(chǎn)品：DCTQ1-XX光纖式單色測(cè)溫儀）。采用可調(diào)焦鏡頭和紅色激光光源瞄準(zhǔn)，溫度分辨率為0.1℃，具有極高的溫度穩(wěn)定性。
RF-4A17雙色測(cè)溫儀均由以下部分組成：光學(xué)透鏡、紅外濾光片、雙色探測(cè)器、放大及處理電子電路以及符合nema-4（iec 529，ip65）標(biāo)準(zhǔn)的外殼。確保在嚴(yán)格的工業(yè)環(huán)境下可靠運(yùn)行。輸出標(biāo)準(zhǔn)電流信號(hào)，用以連接計(jì)算機(jī)、控制器、記錄儀、報(bào)警器以及a/d接口。
注意：在大多數(shù)情況下，即使目標(biāo)能量衰減達(dá)95%時(shí)，RF-4A18雙色測(cè)溫儀也可以保證進(jìn)行有效測(cè)量。其要求的百分比僅在測(cè)量溫度段的底端有所提高。
M390黑體爐是一款高溫輻射源，溫度范圍覆蓋600°C至3000°C。它采用25?mm石墨腔體，提供近乎理想的發(fā)射率（0.65–1.8?μm波段有效發(fā)射率約為1.0），并通過(guò)快速響應(yīng)紅外溫度傳感器和PID控制系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)高精度（±0.25%或±1°C）溫度控制，5分鐘內(nèi)即可從室溫升至2300°C。同時(shí)，設(shè)備支持RS232/RS485遠(yuǎn)程控制，且所有校準(zhǔn)均可追溯至NIST標(biāo)準(zhǔn)。
工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用
紅外測(cè)溫校準(zhǔn)
M390作為標(biāo)準(zhǔn)輻射源，可對(duì)紅外測(cè)溫儀、熱像儀等設(shè)備進(jìn)行校準(zhǔn)，確保高溫下測(cè)量準(zhǔn)確。
鋼鐵與冶金
在高爐、軋制等高溫工藝中，通過(guò)校準(zhǔn)現(xiàn)場(chǎng)測(cè)溫儀器，保證溫度監(jiān)控的精確性，提升生產(chǎn)效率與產(chǎn)品質(zhì)量。
航空航天與精密制造
用于模擬極端高溫環(huán)境，標(biāo)定傳感器和測(cè)試材料性能，確保設(shè)備在嚴(yán)苛條件下的可靠運(yùn)行。
科研領(lǐng)域的應(yīng)用
實(shí)驗(yàn)室和計(jì)量研究
作為高溫輻射基準(zhǔn)源，M390在國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室和高校中用于溫度基準(zhǔn)傳遞和高溫測(cè)量研究。
光學(xué)與紅外傳感器研究
為光譜測(cè)量和紅外傳感器校準(zhǔn)提供穩(wěn)定、精確的高溫環(huán)境，支持新技術(shù)研發(fā)和性能優(yōu)化。
M330-US M330-EU 黑體爐 黑體輻射源 紅外傳感器
M330黑體爐適用于300°C-1700°C高溫校準(zhǔn)，具有超高發(fā)射率、高精確度、長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定性及PID溫控等特點(diǎn)，廣泛用于紅外傳感器等校準(zhǔn)，PLUSFO圣加弗公司科研和工業(yè)的理想工具。
如果您在尋找一款高效穩(wěn)定且精確度極高的黑體輻射源，那么M330-US / M330-EU 黑體爐將是您的理想之選。其溫度范圍從 300°C 到 1700°C（572°F 到 3092°F），適用于各種高溫校準(zhǔn)需求。
主要特點(diǎn)：
- 超高發(fā)射率：1.0 在 0.65-1.8μm 波段，確保精確的輻射校準(zhǔn)。
- 高精確度：±0.25% ± 1°C，滿足嚴(yán)苛的精度要求。
- 長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定性：每 8 小時(shí)溫度波動(dòng)小于 ±1°C，適合長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定操作。
- PID 數(shù)字溫控：采用行業(yè)領(lǐng)先的自調(diào)諧 PID 控制，確保溫度始終保持在 ±0.5°C 以內(nèi)。
- 寬溫度范圍：300°C 到 1700°C 可調(diào)節(jié)，適用于各種復(fù)雜校準(zhǔn)場(chǎng)景。
- 安全防護(hù)：配有獨(dú)立的超溫?cái)嚯娤到y(tǒng)和內(nèi)部風(fēng)扇，保證設(shè)備運(yùn)行的安全性和可靠性。
應(yīng)用場(chǎng)景：
M330 黑體爐廣泛用于紅外溫度傳感器、紅外熱像儀、光譜儀、太陽(yáng)輻射模擬、光學(xué)高溫計(jì)等高溫校準(zhǔn)應(yīng)用。其極高的溫度精確性和穩(wěn)定性，讓它成為科研實(shí)驗(yàn)室和工業(yè)領(lǐng)域中不可或缺的工具。
技術(shù)參數(shù)：
- 溫度范圍：300°C - 1700°C
- 溫度精度：±0.25% ± 1°C
- 溫度穩(wěn)定度：每 8 小時(shí) ±0.5°C
- 腔體規(guī)格：25 mm 直徑封閉式管腔
- 冷卻方式：風(fēng)扇冷卻，保持外部安全溫度
提升工作效率的理想選擇
M330-US M330-EU 黑體爐憑借其優(yōu)秀的性能和安全設(shè)計(jì)，是進(jìn)行高溫校準(zhǔn)領(lǐng)域的優(yōu)秀工具。無(wú)論您是實(shí)驗(yàn)室研究人員還是工業(yè)工程師，M330 都能為您提供無(wú)與倫比的精度與穩(wěn)定性，助力您提升工作效率并確保測(cè)量結(jié)果的可靠性。
關(guān)鍵字：M340黑體爐，M340L黑體爐，M345X黑體爐，M345X—LC黑體爐，M310—HT黑體爐，M315—HT黑體爐，M315X黑體爐，M315X—HT黑體爐，M300黑體爐，M305黑體爐,Mikron黑體爐M330黑體爐，M335黑體爐，M360黑體爐，M390黑體爐
低溫黑體爐
M340黑體爐
M340L黑體爐
M345X黑體爐
M345X-LC黑體爐
中溫黑體爐
M310-HT黑體爐
M315-HT黑體爐
M315x黑體爐
M315x-HT黑體爐
高溫黑體爐
M300黑體爐
M305黑體爐
M330EU/US黑體爐
M335黑體爐
M360/M360A黑體爐
超高溫黑體爐 傳遞源測(cè)溫儀
M390黑體爐
Impac IS12/IGA12
紅外標(biāo)準(zhǔn)傳遞儀
